DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 182-6878
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3071LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.273.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 19. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.091 | CHF.275.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-6878
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3071LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Hinterleuchtung.
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungsfunktionen
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMP3164 Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.8 A 1.16 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMC3060 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.6 A 1.16 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 5.2 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMN3061 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.08 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex DMP2067 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 1.2 W, 6-Pin TSOT
