DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 182-7079
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3071LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF.0.152 | CHF.14.85 |
| 200 - 400 | CHF.0.131 | CHF.13.03 |
| 500 - 900 | CHF.0.101 | CHF.10.40 |
| 1000 - 1900 | CHF.0.091 | CHF.9.49 |
| 2000 + | CHF.0.091 | CHF.8.69 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7079
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC3071LVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 140mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 2.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 140mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 2.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Höhe 0.9mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101 | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(on)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät
Anwendungen
Hinterleuchtung.
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungsfunktionen
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