DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT

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RS Best.-Nr.:
182-6877
Herst. Teile-Nr.:
DMC2057UVT-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Betriebstemperatur min.

150°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Länge

3mm

Höhe

0.9mm

Breite

1.7 mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.

Anwendungen

Hinterleuchtung.

DC/DC-Wandler

Stromüberwachungsfunktionen

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