DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 182-7055
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2057UVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
CHF.16.80
Nur noch Restbestände
- Letzte 2’700 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 + | CHF.0.168 | CHF.16.91 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 182-7055
- Herst. Teile-Nr.:
- DMC2057UVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Betriebstemperatur min. | 150°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | -55°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Betriebstemperatur min. 150°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur -55°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0 | ||
Breite 1.7 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom
Vollständig bleifrei
halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.
Anwendungen
Hinterleuchtung.
DC/DC-Wandler
Stromüberwachungsfunktionen
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4.6 A 1.1 W, 6-Pin TSOT-26
- DiodesZetex Doppelt DMP3164 Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 2.8 A 1.16 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMC3060 Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.6 A 1.16 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Isoliert Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 20 V Erweiterung / 5.2 A 1.1 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex Doppelt DMN3061 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.08 W, 6-Pin TSOT
- DiodesZetex DMP2040UVT Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 5.5 A 1.5 W, 6-Pin TSOT