DiodesZetex Doppelt Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 4 A 1.1 W, 6-Pin TSOT

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Herst. Teile-Nr.:
DMC2057UVT-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

TSOT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

160mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.1W

Durchlassspannung Vf

0.7V

Betriebstemperatur min.

150°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

-55°C

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

Höhe

0.9mm

Länge

3mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Dieses MOSFET der neuen Generation wurde zur Minimierung des Durchlasswiderstands (RDS(ON)) entwickelt, bietet dennoch überlegene Schaltleistung und ist somit ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Geringer Eingangs-/Ausgangsleckstrom

Vollständig bleifrei

halogen- und antimonfrei. "Grünes" Gerät.

Anwendungen

Hinterleuchtung.

DC/DC-Wandler

Stromüberwachungsfunktionen

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