DiodesZetex Doppelt DMN3061 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.4 A 1.08 W, 6-Pin TSOT
- RS Best.-Nr.:
- 206-0081
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3061SVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- DMN3061SVT-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMN3061 | |
| Gehäusegröße | TSOT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.08W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Länge | 2.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.6 mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMN3061 | ||
Gehäusegröße TSOT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.08W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.9mm | ||
Länge 2.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.6 mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,88 W Wärmeverlustleistung.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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