DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.45 W, 6-Pin US DMN62D4LDW-7

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Herst. Teile-Nr.:
DMN62D4LDW-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

261mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMN

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.45W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.51nC

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Der zweifache n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Zweifacher N-Kanal-MOSFET

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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