DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.45 W, 6-Pin US

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.126.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 24. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.042CHF.135.45

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
222-2843
Herst. Teile-Nr.:
DMN62D4LDW-7
Marke:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

261mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

DMN

Gehäusegröße

US

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.45W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.51nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Der zweifache n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET von DiodesZetex wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Zweifacher N-Kanal-MOSFET

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Gate-Schwellenspannung

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Verwandte Links