DiodesZetex Doppelt DMN3401 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.35 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 206-0085
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.11.55
Auf Lager
- Zusätzlich 1’900 Einheit(en) mit Versand ab 20. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.231 | CHF.11.76 |
| 100 - 200 | CHF.0.21 | CHF.10.34 |
| 250 - 450 | CHF.0.20 | CHF.10.03 |
| 500 - 950 | CHF.0.20 | CHF.9.82 |
| 1000 + | CHF.0.189 | CHF.9.56 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0085
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 800mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMN3401 | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.35W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Länge | 2.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 800mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMN3401 | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.35W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Breite 1.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.95mm | ||
Länge 2.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,29 W Wärmeverlustleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Verwandte Links
- DiodesZetex Doppelt DMN3401 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.35 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.35 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 250 mA 0.35 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMC3401 Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.4 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung 0.29 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 0.37 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 261 mA 0.45 W, 6-Pin US
- DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 217 mA 250 mW, 6-Pin US