DiodesZetex Doppelt DMN3401 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.35 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 206-0085
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
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- RS Best.-Nr.:
- 206-0085
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3401LDW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 800mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | DMN3401 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 700mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.35W | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2.15mm | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 800mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie DMN3401 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 700mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.35W | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2.15mm | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der zweifache N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 30 V wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 0,29 W Wärmeverlustleistung.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
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