DiodesZetex DMT6006 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 206-0148
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6006SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- DMT6006SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 98A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Serie | DMT6006 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.45W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Höhe | 900μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 98A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Serie DMT6006 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.45W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Höhe 900μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,45 W Wärmeverlustleistung.
Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden
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