DiodesZetex DMT6006 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 206-0148
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6006SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- DMT6006SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 98A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT6006 | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27.9nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.45W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.15mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 98A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT6006 | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27.9nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.45W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.15mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,45 W Wärmeverlustleistung.
Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden
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