DiodesZetex DMT6006 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 206-0150
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6006SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.19.45
Auf Lager
- 975 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.778 | CHF.19.34 |
| 50 - 75 | CHF.0.758 | CHF.18.99 |
| 100 - 225 | CHF.0.657 | CHF.16.51 |
| 250 - 975 | CHF.0.646 | CHF.16.11 |
| 1000 + | CHF.0.626 | CHF.15.71 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-0150
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT6006SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 98A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT6006 | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.45W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 27.9nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 98A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT6006 | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.45W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 27.9nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 8-polige N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET DiodesZetex mit 60 V, wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung zu erhalten, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Seine Gate-Quellspannung beträgt 20 V mit 2,45 W Wärmeverlustleistung.
Niedriger RDS(ON) - sorgt dafür, dass die Verluste im eingeschalteten Zustand minimiert werden
Verwandte Links
- DiodesZetex DMT6006 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 98 A 2.45 W, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMTH31M7LPSQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex DMTH61M8SPS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 215 A, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex DMTH84M1SPSQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex DMTH61M8SPSQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 215 A, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2.5 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 150 V / 11 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI5060-8