Toshiba TK090A65Z Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 45 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 206-9724
- Herst. Teile-Nr.:
- TK090A65Z,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.6.699 | CHF.13.39 |
| 10 - 18 | CHF.5.198 | CHF.10.40 |
| 20 - 24 | CHF.5.103 | CHF.10.20 |
| 26 - 48 | CHF.4.683 | CHF.9.38 |
| 50 + | CHF.4.253 | CHF.8.51 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-9724
- Herst. Teile-Nr.:
- TK090A65Z,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | TK090A65Z | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 47nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.7V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 10 mm | |
| Höhe | 2.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 28mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie TK090A65Z | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 47nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.7V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 10 mm | ||
Höhe 2.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 28mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit geringerer Kapazität. Er wird hauptsächlich in Schaltnetzteilen verwendet.
Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle 0,075?
Lagertemperatur: -55 bis 150 °C.
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