Teile-Nr.

Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TK10A80E,S4X(S TO-220

RS Best.-Nr.:: 896-2647
Herst. Teile-Nr.:: TK10A80E,S4X(S
Marke:: Toshiba

Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TK10A80E,S4X(S TO-220

Vorübergehend ausverkauft

RS Best.-Nr.:: 896-2647
Herst. Teile-Nr.:: TK10A80E,S4X(S
Marke:: Toshiba

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Toshiba
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	800V
	Serie	TK
	Gehäusegröße	TO-220
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	46nC
	Maximale Verlustleistung Pd	50W
	Durchlassspannung Vf	-1.7V
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	15mm
	Länge	10mm
	Breite	4.5 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Toshiba
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 800V
	Serie TK
	Gehäusegröße TO-220
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC
	Maximale Verlustleistung Pd 50W
	Durchlassspannung Vf -1.7V
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 15mm
	Länge 10mm
	Breite 4.5 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TK10A80E,S4X(S TO-220

MOSFET-Transistoren, Toshiba

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