Toshiba TK N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 60 A 30 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 896-2344
- Herst. Teile-Nr.:
- TK32A12N1,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF 3.64
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 0.727 | CHF 3.62 |
| 50 - 95 | CHF 0.475 | CHF 2.35 |
| 100 - 195 | CHF 0.455 | CHF 2.28 |
| 200 - 395 | CHF 0.444 | CHF 2.23 |
| 400 + | CHF 0.434 | CHF 2.16 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 896-2344
- Herst. Teile-Nr.:
- TK32A12N1,S4X(S
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 120V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | TK | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 34nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 30W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.5mm | |
| Höhe | 15mm | |
| Länge | 10mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 120V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie TK | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 34nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 30W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.5mm | ||
Höhe 15mm | ||
Länge 10mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Verwandte Links
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 42 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 56 A 45 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 120 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 207 A 45 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 58 A 35 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10 A 50 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 72 A 45 W, 3-Pin TO-220
- Toshiba TK Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 25 W, 3-Pin TO-220