Toshiba TPHR8504PL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 170 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 206-9796
- Herst. Teile-Nr.:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- Marke:
- Toshiba
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.6’670.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 17. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.1.334 | CHF.6’672.75 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 206-9796
- Herst. Teile-Nr.:
- TPHR8504PL,L1Q(M
- Marke:
- Toshiba
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 150A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TPHR8504PL | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 103nC | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 150A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TPHR8504PL | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 103nC | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Silizium-N-Kanal-MOSFET verfügt über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften. Er wird hauptsächlich in hocheffizienten DC/DC-Wandlern, Schaltreglern und Motortreibern eingesetzt.
Niedriger Durchlasswiderstand der Drain-Quelle 0,7 m?
Lagertemperatur: -55 bis 175 °C.
Verwandte Links
- Toshiba TPHR8504PL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 150 A 170 W, 8-Pin SOP
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 340 A 170 W, 8-Pin SOP
- Toshiba TPH1R306PL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 170 W, 8-Pin SOP
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 168 A 2.5 W, 8-Pin SOP
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 92 A 81 W, 8-Pin SOP
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 93 A 78 W, 8-Pin SOP
- Toshiba Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 65 A 30 W, 8-Pin TSON
- Toshiba TPC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 20 A 30 W, 8-Pin SOP