Teile-Nr.

Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 108 W, 8-Pin VSONP

RS Best.-Nr.:: 208-8479
Herst. Teile-Nr.:: CSD17575Q3
Marke:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 108 W, 8-Pin VSONP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.1’392.50

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2500 +	CHF.0.557	CHF.1’388.63

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RS Best.-Nr.:: 208-8479
Herst. Teile-Nr.:: CSD17575Q3
Marke:: Texas Instruments

Technische Daten

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Texas Instruments
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	NexFET
	Gehäusegröße	VSONP
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.3mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Verlustleistung Pd	108W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	23nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	3.4mm
	Höhe	1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	3.4 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Texas Instruments
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie NexFET
	Gehäusegröße VSONP
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Verlustleistung Pd 108W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 3.4mm
	Höhe 1mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 3.4 mm
	Automobilstandard Nein

Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 108 W, 8-Pin VSONP

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