Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 108 W, 8-Pin VSONP
- RS Best.-Nr.:
- 208-8480
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17575Q3
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
- 208-8480
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17575Q3
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | VSONP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 108W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße VSONP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 108W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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