Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 125 W, 8-Pin VSONP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*

CHF.2’757.50

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 5’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
2500 +CHF.1.103CHF.2’766.75

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
208-8483
Herst. Teile-Nr.:
CSD19531Q5A
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

VSONP

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

6.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

37nC

Betriebstemperatur min.

-50°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.8 mm

Länge

5.9mm

Automobilstandard

Nein

-

-

Verwandte Links