Vishay SiDR626LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 204 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-4956
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.4’662.00
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.1.554 | CHF.4’671.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4956
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR626LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 204A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SiDR626LDP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.9mm | |
| Breite | 4.9 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.51mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 204A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SiDR626LDP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.9mm | ||
Breite 4.9 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.51mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8DC-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
Verwandte Links
- Vishay SiDR626LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 204 A 125 W, 8-Pin SiDR626LDP-T1-RE3 SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 65.7 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 65.7 W, 8-Pin SiR188DP-T1-RE3 SO-8
- Vishay SiDR680ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 137 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR140DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR220DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR392DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR170DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 95 A 125 W, 8-Pin SO-8