Vishay SiDR392DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 204-7234
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR392DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 20 Stück)*
CHF.47.46
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | CHF.2.373 | CHF.47.52 |
| 40 - 80 | CHF.2.31 | CHF.46.12 |
| 100 - 180 | CHF.2.205 | CHF.44.21 |
| 200 - 480 | CHF.2.09 | CHF.41.83 |
| 500 + | CHF.1.974 | CHF.39.46 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 204-7234
- Herst. Teile-Nr.:
- SIDR392DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiDR392DP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.62mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 188nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiDR392DP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.62mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 188nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.15 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET verfügt über eine Top Side Cooling Funktion, die zusätzlichen Platz für die Wärmeübertragung bietet. Es hat ein optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/QGS-Verhältnis zur Reduzierung der Schaltleistungsverluste.
100 % Rg- und UIS-geprüft
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Verwandte Links
- Vishay SiDR392DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR140DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR220DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR626LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 204 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR170DP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 95 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SiDR680ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 137 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8