Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3934
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.12.725
Auf Lager
- Zusätzlich 2'820 Einheit(en) mit Versand ab 16. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.545 | CHF.12.74 |
| 50 - 95 | CHF.2.283 | CHF.11.43 |
| 100 - 495 | CHF.2.161 | CHF.10.83 |
| 500 - 995 | CHF.2.04 | CHF.10.18 |
| 1000 + | CHF.1.778 | CHF.8.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-3934
- Herst. Teile-Nr.:
- SiDR392DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900μΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 125nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Breite | 5 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.99mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900μΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 125nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.07mm | ||
Breite 5 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.99mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- TW
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
Verwandte Links
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 14.2 A 24 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 30 A 16.7 W, 8-Pin
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 65.7 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 14.4 A 56.8 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 19 W, 6-Pin SC-70-6L