Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SiDR392DP-T1-GE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SiDR392DP-T1-GE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

900μΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

6 V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

125nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.07mm

Länge

5.99mm

Breite

5 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
TW
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Obere seitliche Kühlung sorgt für zusätzliche Wärmeübertragung

Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten

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