Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 65.7 W, 8-Pin SiR188DP-T1-RE3 SO-8

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Herst. Teile-Nr.:
SiR188DP-T1-RE3
Marke:
Vishay Siliconix
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Marke

Vishay Siliconix

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

TrenchFET

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Maximale Verlustleistung Pd

65.7W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

5 mm

Höhe

1.07mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.99mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Ausgenommen

Ursprungsland:
CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

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