Vishay Siliconix TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 60 A 65.7 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 178-3687
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR188DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- RS Best.-Nr.:
- 178-3687
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR188DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.7W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.99mm | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.7W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.99mm | ||
Höhe 1.07mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
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