Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 30 A 16.7 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 178-3932
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 178-3932
- Herst. Teile-Nr.:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 16.7W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -16V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Breite | 3mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 | ||
Serie TrenchFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 16.7W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -16V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Breite 3mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- TW
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Die High-Side- und die Low-Side-MOSFETs bilden eine optimierte Kombination für 50 % Tastverhältnis
Optimierter RDS – Qg und RDS – Qgd FOM steigert den Wirkungsgrad beim Schalten hoher Frequenzen
Verwandte Links
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 30 A 16.7 W, 8-Pin
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Si4164DY Typ N-Kanal, Oberfläche TrenchFET Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 30 A 6 W, 8-Pin SOIC
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 19 W, 6-Pin US
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay Siliconix TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 3.6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 34 W, 8-Pin SO-8
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2, Oberfläche Leistungs-MOSFET 30 V Erweiterung / 7.5 A 2 W, 8-Pin SOIC