Vishay Siliconix TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 65.7 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 178-3701
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS12DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.378 | CHF.1’146.60 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-3701
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS12DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay Siliconix
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay Siliconix | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 59nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 65.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.07mm | |
| Breite | 3.15 mm | |
| Länge | 3.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay Siliconix | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 59nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 65.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.07mm | ||
Breite 3.15 mm | ||
Länge 3.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS(on) in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
Optimiertes Qg-, Qgd- und Qgd/Qgs-Verhältnis verringert Leistungsverlust beim Schalten
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