Vishay SiR180ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 137 A 83.3 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
210-5000
Herst. Teile-Nr.:
SiR180ADP-T1-RE3
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

137A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

SiR180ADP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

83.3W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.25mm

Höhe

1.12mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

5.26 mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.

Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV

Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

Verwandte Links

Recently viewed