Vishay SiR180ADP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 137 A 83.3 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5001
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR180ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.554 | CHF.7.75 |
| 50 - 120 | CHF.1.397 | CHF.6.98 |
| 125 - 245 | CHF.1.113 | CHF.5.59 |
| 250 - 495 | CHF.0.945 | CHF.4.74 |
| 500 + | CHF.0.893 | CHF.4.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5001
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR180ADP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 137A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SiR180ADP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46.2nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83.3W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.25mm | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 5.26 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 137A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SiR180ADP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46.2nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83.3W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.25mm | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 5.26 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 60 V (D-S) MOSFET hat das PowerPAK SO-8-Gehäuse.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
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