Vishay SiR826LDP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 86 A 83 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5005
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR826LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.344 | CHF.13.49 |
| 100 - 240 | CHF.1.281 | CHF.12.83 |
| 250 - 490 | CHF.1.145 | CHF.11.48 |
| 500 - 990 | CHF.1.082 | CHF.10.79 |
| 1000 + | CHF.1.008 | CHF.10.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5005
- Herst. Teile-Nr.:
- SiR826LDP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 86A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SiR826LDP | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 83W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 5.26 mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 86A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SiR826LDP | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 83W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 5.26 mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET hat ein PowerPAK SO-8-Gehäuse mit 86 A Ableitstrom.
Leistungs-MOSFET TrenchFET Gen IV
Sehr niedriger RDS – Qg Gütefaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS – Qoss FOM
100 % Rg- und UIS-geprüft
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