Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 134-9161
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR680DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.3’246.00
Auf Lager
- 3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.1.082 | CHF.3’247.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 134-9161
- Herst. Teile-Nr.:
- SIR680DP-T1-RE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.12mm | |
| Breite | 5.26 mm | |
| Länge | 6.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie TrenchFET | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.12mm | ||
Breite 5.26 mm | ||
Länge 6.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 65 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 46 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 70,6 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 71,9 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
- Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 24,2 A 104 W, 8-Pin PowerPAK SO-8