Vishay SiSS52DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212

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RS Best.-Nr.:
210-5015
Herst. Teile-Nr.:
SiSS52DN-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

162A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

PowerPAK 1212

Serie

SiSS52DN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.95mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

43.2nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

57W

Gate-Source-spannung max Vgs

16 V

Durchlassspannung Vf

1.1V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

0.83mm

Breite

3.4 mm

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

Der Vishay N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET hat das PowerPAK 1212-8S-Gehäuse.

TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET

Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)

Ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem RDS(on) und thermisch Verbessertes kompaktes Gehäuse

100 % Rg- und UIS-geprüft

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