Vishay SiSS52DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 210-5015
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS52DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.336 | CHF.992.25 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5015
- Herst. Teile-Nr.:
- SiSS52DN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 162A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Serie | SiSS52DN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.95mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 43.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Höhe | 0.83mm | |
| Länge | 3.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 162A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Serie SiSS52DN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.95mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 43.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.4 mm | ||
Höhe 0.83mm | ||
Länge 3.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay N-Kanal 30 V (D-S) MOSFET hat das PowerPAK 1212-8S-Gehäuse.
TrenchFET Gen V Leistungs-MOSFET
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Ermöglicht eine höhere Leistungsdichte mit sehr niedrigem RDS(on) und thermisch Verbessertes kompaktes Gehäuse
100 % Rg- und UIS-geprüft
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