Vishay SiSS30LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55.5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- RS Best.-Nr.:
- 188-5051
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS30LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.11.87
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 21. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.1.187 | CHF.11.83 |
| 100 - 240 | CHF.1.124 | CHF.11.24 |
| 250 - 490 | CHF.0.851 | CHF.8.53 |
| 500 - 990 | CHF.0.767 | CHF.7.69 |
| 1000 + | CHF.0.651 | CHF.6.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 188-5051
- Herst. Teile-Nr.:
- SISS30LDN-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | SiSS30LDN | |
| Gehäusegröße | PowerPAK 1212 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 12mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 32.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 57W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 3.3 mm | |
| Länge | 3.3mm | |
| Höhe | 0.78mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie SiSS30LDN | ||
Gehäusegröße PowerPAK 1212 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 12mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 32.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 57W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 3.3 mm | ||
Länge 3.3mm | ||
Höhe 0.78mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal 80 V (D-S) MOSFET.
Leistungs-MOSFET TrenchFET® Gen IV
Sehr niedriger RDS x Qg Leistungsfaktor (FOM)
Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Foss FOM
Verwandte Links
- Vishay SiSS30LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 55.5 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212
- Vishay SiSS30ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 54.7 A 57 W, 8-Pin SiSS30ADN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSS26LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 81.2 A 57 W, 8-Pin SISS26LDN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSS52DN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 162 A 57 W, 8-Pin SiSS52DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSS76LDN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 70 V / 67.4 A 57 W, 8-Pin SiSS76LDN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin SISS23DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay TrenchFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 23 A 57 W, 8-Pin SISS27DN-T1-GE3 PowerPAK 1212
- Vishay SiSS30ADN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 54.7 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212