Vishay SQ3495EV Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 5 W, 6-Pin TSOP
- RS Best.-Nr.:
- 210-5026
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3495EV-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | CHF.0.441 | CHF.8.80 |
| 200 - 480 | CHF.0.42 | CHF.8.38 |
| 500 - 980 | CHF.0.378 | CHF.7.50 |
| 1000 - 1980 | CHF.0.273 | CHF.5.38 |
| 2000 + | CHF.0.231 | CHF.4.68 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5026
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ3495EV-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | SQ3495EV | |
| Gehäusegröße | TSOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 17mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 41nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.1mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie SQ3495EV | ||
Gehäusegröße TSOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 17mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 41nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.1mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Vishay Automotive P-Kanal 30 V (D-S) 175 °C MOSFET hat den TSOP-6-Gehäusetyp mit einer einzigen Konfiguration.
AEC-Q101-qualifiziert
100 % Rg- und UIS-geprüft
RoHS-konform
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