Vishay SQJB46EP_RC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 34 W, 4-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 210-5055
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJB46EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.88
Lieferengpass
- Zusätzlich 7’330 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Unsere Lagerkapazitäten sind begrenzt und die Zulieferer haben bereits Lieferengpässe angekündigt.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.788 | CHF.7.88 |
| 100 - 240 | CHF.0.746 | CHF.7.49 |
| 250 - 490 | CHF.0.567 | CHF.5.66 |
| 500 - 990 | CHF.0.515 | CHF.5.12 |
| 1000 + | CHF.0.431 | CHF.4.34 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-5055
- Herst. Teile-Nr.:
- SQJB46EP-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SQJB46EP_RC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 13.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6.25 mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SQJB46EP_RC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 13.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6.25 mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Vishay MOSFET hat ein PowerPAK SO-8L-Gehäuse.
R-C-Werte für den elektrischen Stromkreis im Foster/Tank und Cauer-/Filterkonfigurationen sind im Lieferumfang enthalten
Verwandte Links
- Vishay SQJB46EP_RC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 34 W, 4-Pin SO-8
- Vishay SQJB46ELP_RC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 30 A 34 W, 4-Pin SO-8
- Vishay Siliconix Doppelt TrenchFET Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30 A 34 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SQJA66EP_RC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 75 A 68 W, 4-Pin SO-8
- Vishay SQJA38EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 68 W, 8-Pin SO-8
- Vishay SQJ162EP Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 166 A 250 W, 4-Pin SO-8L
- Vishay SQ4850CEY Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 12 A 6.8 W, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 18 A 62.5 W, 8-Pin PowerPAK 1212