STMicroelectronics STD11N60M6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 90 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 212-2105
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
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- RS Best.-Nr.:
- 212-2105
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N60M6
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | STD11N60M6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 500mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 90W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.3nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 6.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.6mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie STD11N60M6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 500mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 90W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.3nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 6.2 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.6mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MDmesh M6 MOSFET N-CH
Die STMicroelectronics MDmesh M6-Technologie umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh Familie von SJ MOSFETs. Er baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei Endanwendungen.
Geringere Schaltverluste
Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation
Niedriger Gate-Eingangswiderstand
100%ig auf Stoßentladung geprüft
Zenerdioden-geschützt
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