STMicroelectronics STD11N60M6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 8 A 90 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
212-2105
Herst. Teile-Nr.:
STD11N60M6
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

STD11N60M6

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

500mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Gate-Source-spannung max Vgs

25 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10.3nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.6mm

Breite

6.2 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Automobilstandard

Nein

MDmesh M6 MOSFET N-CH


Die STMicroelectronics MDmesh M6-Technologie umfasst die neuesten Fortschritte der bekannten und konsolidierten Mdmesh Familie von SJ MOSFETs. Er baut auf der vorherigen Generation von MDmesh Geräten auf durch seine neue M6-Technologie, die eine ausgezeichnete RDS(on)-Verbesserung pro Bereich mit einem der effektivsten Schaltverhalten auf dem Markt kombiniert, sowie eine benutzerfreundliche Erfahrung für maximale Effizienz bei Endanwendungen.

Geringere Schaltverluste

Niedrigerer RDS(on) pro Bereich im Vergleich zur vorherigen Generation

Niedriger Gate-Eingangswiderstand

100%ig auf Stoßentladung geprüft

Zenerdioden-geschützt

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