DiodesZetex DMN10H220LFDF N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 2.2 A 1.1 W, 6-Pin UDFN
- RS Best.-Nr.:
- 213-9151
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H220LFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 213-9151
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN10H220LFDF-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | UDFN | |
| Serie | DMN10H220LFDF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 225mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.1W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.63mm | |
| Länge | 2.05mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.05mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße UDFN | ||
Serie DMN10H220LFDF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 225mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.1W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.63mm | ||
Länge 2.05mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.05mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET der DiodesZetex DBN10H220LFDF-Serie wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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