DiodesZetex DMN2053UW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.9 A 0.7 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 213-9162
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
CHF.16.20
Auf Lager
- 7'600 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF.0.162 | CHF.16.56 |
| 200 - 200 | CHF.0.162 | CHF.16.26 |
| 300 - 400 | CHF.0.162 | CHF.15.96 |
| 500 - 900 | CHF.0.152 | CHF.14.75 |
| 1000 + | CHF.0.131 | CHF.13.33 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9162
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2053UWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN2053UW | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 560mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.7W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 3.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.15mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN2053UW | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 560mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.7W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 3.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.15mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET der DiodesZetex DBN2053UW-Serie wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN2053UW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.9 A 0.7 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMP3099L Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.9 A 1.08 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN2055UW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.1 A 0.65 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMP2165UW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.5 A 700 mW, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN2055UWQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.1 A 0.65 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMP31 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 380 mA 0.29 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN3060LWQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.6 A 0.64 W, 3-Pin SOT-323