DiodesZetex DMN2055UWQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.1 A 0.65 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 213-9167
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2055UWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 100 Stück)*
CHF.10.50
Auf Lager
- 1’300 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 100 - 100 | CHF.0.105 | CHF.10.50 |
| 200 - 200 | CHF.0.105 | CHF.10.29 |
| 300 - 400 | CHF.0.105 | CHF.10.08 |
| 500 - 900 | CHF.0.095 | CHF.9.35 |
| 1000 + | CHF.0.084 | CHF.8.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9167
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2055UWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN2055UWQ | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 460mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.65W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.15mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.3 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN2055UWQ | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 460mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.65W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.15mm | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.3 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die Serie DiodesZetex DBN2055UWQ ist ein N-Kanal-MOSFET. Er wird in Universal-Schnittstellenschaltern, Stromüberwachungsfunktionen und analogen Schaltern verwendet.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Sehr niedrige Gate-Schwellenspannung
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN2055UWQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.1 A 0.65 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN2055UW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.1 A 0.65 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN3061SW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 0.65 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN3061SWQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.7 A 0.65 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex Einfach Typ N-Kanal 1, SMD MOSFET 20 V Erweiterung / 3.1 A 1.7 W, 6-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMG1012UWQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 950 mA 0.29 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 0.6 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN3060LW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 2.6 A 0.64 W, 3-Pin SOT-323