DiodesZetex Doppelt DMN3190LDWQ Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 1 A 0.4 W, 6-Pin US DMN3190LDWQ-7
- RS Best.-Nr.:
- 213-9186
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3190LDWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.368 | CHF.18.53 |
| 100 - 200 | CHF.0.326 | CHF.16.22 |
| 250 - 450 | CHF.0.315 | CHF.15.91 |
| 500 - 950 | CHF.0.284 | CHF.14.39 |
| 1000 + | CHF.0.263 | CHF.12.97 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9186
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN3190LDWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | DMN3190LDWQ | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.19Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.4W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.95mm | |
| Breite | 2.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Länge | 2.15mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie DMN3190LDWQ | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.19Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.4W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.95mm | ||
Breite 2.1 mm | ||
Normen/Zulassungen UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Länge 2.15mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET der DiodesZetex DBN3190LDWQ-Serie wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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