DiodesZetex DMT61M8SPS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 205 A 139 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 213-9213
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT61M8SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 213-9213
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT61M8SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 205A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT61M8SPS | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 2 mm | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Länge | 2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 205A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT61M8SPS | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 2 mm | ||
Höhe 0.6mm | ||
Länge 2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET der DiodesZetex Serie DMT61M8SPS wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
100 % ungespanntes induktives Schalten
Prüfung in der Produktion - sorgt für ein zuverlässigeres und robusteres Ende Anwendung
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