DiodesZetex DMT61M8SPS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 205 A 139 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 213-9214
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT61M8SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.9.925
Auf Lager
- 2’500 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.985 | CHF.9.90 |
| 50 - 95 | CHF.1.701 | CHF.8.51 |
| 100 - 245 | CHF.1.491 | CHF.7.47 |
| 250 - 995 | CHF.1.46 | CHF.7.29 |
| 1000 + | CHF.1.365 | CHF.6.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9214
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT61M8SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 205A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | DMT61M8SPS | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 0.6mm | |
| Breite | 2 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 205A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie DMT61M8SPS | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 0.6mm | ||
Breite 2 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET der DiodesZetex Serie DMT61M8SPS wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
100 % ungespanntes induktives Schalten
Prüfung in der Produktion - sorgt für ein zuverlässigeres und robusteres Ende Anwendung
Verwandte Links
- DiodesZetex DMT61M8SPS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 205 A 139 W, 8-Pin PowerDI5060
- DiodesZetex DMTH61M8SPS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 215 A, 8-Pin DMTH61M8SPS-13 PowerDI5060
- DiodesZetex DMTH61M8SPSQ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 215 A, 8-Pin DMTH61M8SPSQ-13 PowerDI5060
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2.5 W, 8-Pin PowerDI5060-8 DMT6011LPDW-13
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMPH33M8SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W DMP3011SPSW-13 PowerDI5060-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2.5 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMTH61M8SPS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 215 A, 8-Pin PowerDI5060