DiodesZetex DMT67M8LSS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14.8 A 2.2 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 213-9216
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT67M8LSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.16.675
Auf Lager
- 2'400 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF 0.667 | CHF 16.75 |
| 50 - 75 | CHF 0.657 | CHF 16.41 |
| 100 - 225 | CHF 0.586 | CHF 14.65 |
| 250 - 975 | CHF 0.576 | CHF 14.39 |
| 1000 + | CHF 0.515 | CHF 12.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9216
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT67M8LSS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | DMT67M8LSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.2W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.45mm | |
| Breite | 3.85mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie DMT67M8LSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.2W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.45mm | ||
Breite 3.85mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die DiodesZetex DMT8030LFDF-Serie ist ein N-Kanal-MOSFET. Er wird in Stromüberwachungsfunktionen, Batterie betriebenen Systemen und Halbleiterrelais verwendet.
100 % ungespanntes induktives Schalten
Prüfung in der Produktion - sorgt für ein zuverlässigeres und robusteres Ende Anwendung
Verwandte Links
- DiodesZetex DMT67M8LSS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 14.8 A 2.2 W, 8-Pin SO-8
- DiodesZetex DMG Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 12 A 2.2 W, 8-Pin SOIC
- DiodesZetex Doppelt DMT47 Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 30.2 A 14.8 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung 2.34 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung 2.5 W, 8-Pin PowerDI5060-8
- DiodesZetex DMG7430LFG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 10.5 A 2.2 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex DMT35M4LFVW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 60 A 2.2 W, 8-Pin PowerDI3333
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8