DiodesZetex DMT35M4LFVW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 60 A 2.2 W, 8-Pin PowerDI3333
- RS Best.-Nr.:
- 213-9206
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT35M4LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.0.515 | CHF.12.86 |
| 50 - 75 | CHF.0.504 | CHF.12.60 |
| 100 - 225 | CHF.0.452 | CHF.11.24 |
| 250 - 975 | CHF.0.441 | CHF.11.03 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9206
- Herst. Teile-Nr.:
- DMT35M4LFVW-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333 | |
| Serie | DMT35M4LFVW | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 16.1nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.4mm | |
| Höhe | 0.85mm | |
| Breite | 3.4 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333 | ||
Serie DMT35M4LFVW | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 16.1nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.4mm | ||
Höhe 0.85mm | ||
Breite 3.4 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex DMT35M4LFVW ist ein N-Kanal-MOSFET, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand minimiert und eine überlegene Schaltleistung bietet, was ihn ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
100 % ungespanntes induktives Schalten
Prüfung in der Produktion - sorgt für ein zuverlässigeres und robusteres Ende Anwendung
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