DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 41 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- RS Best.-Nr.:
- 246-7568
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LFVWQ-7-A
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.7.67
Auf Lager
- 1’970 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.0.767 | CHF.7.68 |
| 50 - 90 | CHF.0.756 | CHF.7.55 |
| 100 - 240 | CHF.0.588 | CHF.5.90 |
| 250 - 990 | CHF.0.578 | CHF.5.79 |
| 1000 + | CHF.0.525 | CHF.5.28 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-7568
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH6016LFVWQ-7-A
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PowerDI3333-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.027Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PowerDI3333-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.027Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Er wird von einem PPAP unterstützt und ist ideal für den Einsatz in: Hinterleuchtung, Stromüberwachungsfunktionen und DC/DC-Wandlern. Er ist im Gehäuse powerDI3333-8 (SWP) (Typ UX) erhältlich.
Ausgelegt für +175 °C, ideal für Umgebungen mit hoher Umgebungstemperatur. 100 % Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in der Produktion sorgt für zuverlässigere und robustere Endanwendungen. Kleines, thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte
Verwandte Links
- DiodesZetex Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 41 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 26 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 100 A 1.73 W, 8-Pin PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin DMTH10H032LFVW-7 PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 100 V / 26 A 1.73 W, 8-Pin DMTH10H032LFVWQ-7 PowerDI3333-8
- DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 8-Pin DMP2004UFG-13 PowerDI3333-8