DiodesZetex DMTH10H4M6SPS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 100 A 136 W, 8-Pin PowerDI5060
- RS Best.-Nr.:
- 213-9230
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 1.757 | CHF 8.80 |
| 50 - 95 | CHF 1.505 | CHF 7.55 |
| 100 - 245 | CHF 1.323 | CHF 6.60 |
| 250 - 995 | CHF 1.293 | CHF 6.45 |
| 1000 + | CHF 1.081 | CHF 5.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 213-9230
- Herst. Teile-Nr.:
- DMTH10H4M6SPS-13
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | DMTH10H4M6SPS | |
| Gehäusegröße | PowerDI5060 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.15mm | |
| Länge | 6.15mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie DMTH10H4M6SPS | ||
Gehäusegröße PowerDI5060 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.15mm | ||
Länge 6.15mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die DiodesZetex DMTH10H4M6SPS-Serie ist ein N-Kanal-MOSFET, der entwickelt wurde, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, was sie ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen macht.
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
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