Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET P 600 V / 8 A 26 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4352
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R170CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 214-4352
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R170CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 170mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 26W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.85mm | |
| Länge | 10.68mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 170mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 26W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.85mm | ||
Länge 10.68mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon 600 V Cool MOS CFD7 verfügt über eine integrierte schnelle Gehäusediode und kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als bei der Konkurrenz
Er verfügt über eine hohe Zuverlässigkeit für resonante Topologien
Er verfügt über eine erstklassige harte Kommutierungsbeständigkeit
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