Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4364
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 195nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.31mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 195nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.31mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.57mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kombiniert einen niedrigen RDS(on) mit einem großen sicheren Betriebsbereich (SOA)
OptiMOSTM Linear FET ist ein revolutionärer Ansatz zur Vermeidung des Kompromisses zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der linearen Modusfähigkeit – Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten Modus-MOSFETs. Er bietet den hochmodernen R DS(on) eines Trenn-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.
Zusammenfassung der Merkmale
•Kombination aus niedrigem R DS(on) und einem großen sicheren Betriebsbereich (SOA)
•Hoher max. Impulsstrom
•Hoher durchgehender Impulsstrom
Vorteile
•Robuster Linearbetrieb
•Geringe Leitungsverluste
•Höherer Einschaltstrom für schnelleres Starten und kürzere Ausfallzeiten
Anwendungsmöglichkeiten
•Telekom
•Batteriemanagement
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