Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4364
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.11.95
Auf Lager
- Zusätzlich 1’662 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 + | CHF.5.975 | CHF.11.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4364
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB017N10N5LFATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 313W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 195nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 9.45 mm | |
| Höhe | 4.57mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.31mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 313W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 195nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 9.45 mm | ||
Höhe 4.57mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.31mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Kombiniert einen niedrigen RDS(on) mit einem großen sicheren Betriebsbereich (SOA)
OptiMOSTM Linear FET ist ein revolutionärer Ansatz zur Vermeidung des Kompromisses zwischen dem Widerstand im eingeschalteten Zustand (R DS(on)) und der linearen Modusfähigkeit – Betrieb im Sättigungsbereich eines erweiterten Modus-MOSFETs. Er bietet den hochmodernen R DS(on) eines Trenn-MOSFETs zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFETs.
Zusammenfassung der Merkmale
•Kombination aus niedrigem R DS(on) und einem großen sicheren Betriebsbereich (SOA)
•Hoher max. Impulsstrom
•Hoher durchgehender Impulsstrom
Vorteile
•Robuster Linearbetrieb
•Geringe Leitungsverluste
•Höherer Einschaltstrom für schnelleres Starten und kürzere Ausfallzeiten
Anwendungsmöglichkeiten
•Telekom
•Batteriemanagement
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 313 W, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 180 A 250 W, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A 300 W, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 180 A 250 W, 7-Pin TO-263
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 180 A 300 W, 7-Pin TO-263