Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 800 V / 3.9 A 63 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 214-4396
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K4CEATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPD80R1K4CEATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.35mm | |
| Breite | 6.42 mm | |
| Länge | 6.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.35mm | ||
Breite 6.42 mm | ||
Länge 6.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon 800 V Cool MOS CE MOSFET verfügt über eine Hochspannungsfähigkeit, die Sicherheit mit Leistung und Robustheit kombiniert, um stabile Designs mit höchstem Wirkungsgrad zu ermöglichen.
Er ist RoHS-konform
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