Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 164 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4413
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R060P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF 3.676 | CHF 184.02 |
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| 250 + | CHF 3.272 | CHF 163.82 |
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4413
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R060P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 48A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 67nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 164W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 15.93mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 48A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 67nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 164W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 15.93mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V maximale Drain-Source-Spannung, 48 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPP60R060P7XKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für die Durchsteckmontage im TO-220-Format vorgesehen, was eine kompakte, wartungsfreundliche Option für Ingenieure darstellt, die ein robustes Gerät für Hochspannungsschaltungen benötigen.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 600 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 48 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung der Handhabung hoher Lasten
• Maximale Verlustleistung von 164 W für Hochleistungsbetrieb
• 60 mΩ maximaler RDS(on) für geringe Leitungsverluste
• 67 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V für Standard-Gate-Treiber
• 48 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung der Handhabung hoher Lasten
• Maximale Verlustleistung von 164 W für Hochleistungsbetrieb
• 60 mΩ maximaler RDS(on) für geringe Leitungsverluste
• 67 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Antriebsanforderungen
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V für Standard-Gate-Treiber
Anwendungsbereich
• Geeignet für SMPS-Schaltstufen auf der Primärseite
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Wechselrichterstufen
• Verwendung mit Hochspannungs-Batteriemanagementsystemen
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Vorregulatoren verwendet werden
• Nützlich bei der Umwandlung von LED-Beleuchtung in Netzstrom
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Wechselrichterstufen
• Verwendung mit Hochspannungs-Batteriemanagementsystemen
• Kann für Leistungsfaktorkorrektur-Vorregulatoren verwendet werden
• Nützlich bei der Umwandlung von LED-Beleuchtung in Netzstrom
Welchen thermischen Bereich kann er während des Betriebs tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und deckt raue Umgebungs- und erhöhte Anschlussbedingungen für anspruchsvolle Umgebungen ab.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?
Er wird in einem TO-220-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage ausgelegt ist und die Kühlkörper- und Lötmontage erleichtert.
Wie wirkt sich die Gate-Antriebsanforderung des Geräts auf die Treiberauswahl aus?
Mit einer typischen Gate-Ladung von 67 nC und einer VGS-Grenze von 20 V wählen Sie einen Treiber, der ausreichend Strom liefern und ableiten kann, ohne die Gate-Spannungsgrenze zu überschreiten.
Welche Leitungs- und Schalteigenschaften beeinflussen die Effizienz?
Der maximale Drain-Source-Widerstand von 60 mΩ und die Durchlassspannung von 0,9 V zeigen die Leitungsverluste und die Durchlassverlustcharakteristik unter Last an, was für die Berechnung der Systemeffizienz relevant ist.
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