Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4416
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.11.01
Auf Lager
- Zusätzlich 340 Einheit(en) mit Versand ab 17. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | CHF.1.101 | CHF.11.03 |
| 20 - 40 | CHF.1.05 | CHF.10.48 |
| 50 - 90 | CHF.1.00 | CHF.10.04 |
| 100 - 240 | CHF.0.96 | CHF.9.60 |
| 250 + | CHF.0.889 | CHF.8.93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4416
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 72W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 15.93 mm | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 72W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 15.93 mm | ||
Höhe 4.4mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.
Er verfügt über eine robuste Gehäusediode
Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit
Verwandte Links
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 12 A 72 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-252
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 22 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 48 A 164 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-247
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 12 A, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 650 V / 9 A, 3-Pin TO-220