Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin IPP60R180P7XKSA1

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.13.44

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 10CHF.1.344CHF.13.49
20 - 40CHF.1.281CHF.12.82
50 - 90CHF.1.229CHF.12.29
100 - 240CHF.1.176CHF.11.74
250 +CHF.1.092CHF.10.93

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
214-4416
Herst. Teile-Nr.:
IPP60R180P7XKSA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

18A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

600V CoolMOS P7

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

180mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Verlustleistung Pd

72W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.2mm

Breite

15.93 mm

Höhe

4.4mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 600-V-Cool-MOS-P7-Super Junction-MOSFET ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen dem Bedarf an hohem Wirkungsgrad und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess. Die klassenbeste RonxA und die inhärent niedrige Gate-Ladung (QG) der Plattform Cool MOS TM der 7. Generation sorgen für einen hohen Wirkungsgrad.

Er verfügt über eine robuste Gehäusediode

Integrierte RG reduziert die MOSFET-Oszillationsempfindlichkeit

Verwandte Links