Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 218-3087
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF 3.00 | CHF 15.02 |
| 25 - 45 | CHF 2.636 | CHF 13.20 |
| 50 - 120 | CHF 2.464 | CHF 12.31 |
| 125 - 245 | CHF 2.313 | CHF 11.57 |
| 250 + | CHF 2.131 | CHF 10.67 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3087
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 72W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 72W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der 600-V-CoolMOS-P7-Super Junction (SJ)-MOSFET ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess.
Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
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