Infineon 600V CoolMOS P7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 72 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 218-3086
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.74.34
Vorübergehend ausverkauft
- 240 Einheit(en) mit Versand ab 12. März 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.2.478 | CHF.74.25 |
| 60 - 120 | CHF.2.352 | CHF.70.53 |
| 150 - 270 | CHF.2.247 | CHF.67.57 |
| 300 - 570 | CHF.2.153 | CHF.64.58 |
| 600 + | CHF.2.006 | CHF.60.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3086
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180P7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 18A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 72W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 18A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 72W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21 mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS. Der 600-V-CoolMOS-P7-Super Junction (SJ)-MOSFET ist der Nachfolger der 600-V-CoolMOS-P6-Serie. Es ist weiterhin ein ausgewogenes Verhältnis zwischen der Notwendigkeit eines hohen Wirkungsgrads und der Benutzerfreundlichkeit im Designprozess.
Geeignet für hartes und weiches Schalten (PFC und LLC) Aufgrund einer hervorragenden Kommutierungsbeständigkeit
Deutliche Reduzierung von Schalt- und Leitungsverlusten
Ausgezeichnete ESD-Robustheit >von 2 kV (HBM) für alle Produkte
Verwandte Links
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 18 A, 4-Pin TO-247-4
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 29 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 13 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 26 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 206 A, 3-Pin TO-247
- Infineon CoolMOS™ P7 N-Kanal Dual, THT MOSFET 650 V / 386 A, 3-Pin TO-247
